Korzystaj?c z okazji kongresu Mobile Week w Barcelonie, Micron poinformowa? o wprowadzeniu do swojej oferty najszybszych pami?ci DRAM o pojemno?ci 512Mb dla urz?dze? przeno?nych. Chip zamkni?ty w standardowej obudowie mo?e pracowa? z zegarem 200MHz i oferuje przepustowo?? na poziomie 400MB/s. Co wi?cej poza standardowym napi?ciem 1.8V, mo?liwa jest równie? praca przy napi?ciu 1.2V. Zwi?kszono równie? zakres temperatur w jakich pami?? dzia?a poprawnie (-40 do +85 stopni Celsjusza). Masowa produkcja rozpocznie si? w drugim kwartale 2008 roku.

wiecej: http://newsroom.gery.pl/notka,200714.html?rss.